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(FT838D外推,FT838NB內(nèi)置)USB 驅(qū)動(dòng)IC

發(fā)布時(shí)間: 2015-08-25  點(diǎn)擊次數(shù): 2501次

(FT838D外推,FT838NB內(nèi)置)USB 驅(qū)動(dòng)IC  FMD(輝芒微)代理價(jià)格優(yōu)勢(shì),!   

FT838D分為FT838D1,FT838D2

FT838NB分為FT838NB1,FT838NB2

FT838D特點(diǎn):

1、滿足能源之星2.0和5能效;
2、內(nèi)置NPN;
3、批量輸出電壓精度電流精度±5%以?xún)?nèi);
4、保護(hù)功能齊,可靠性好;
5、滿足EN55022 ClassB EMI要求

FT838NB特點(diǎn):

1、滿足能源之星2.0和5能效;
2、批量輸出電壓精度電流精度±5%以?xún)?nèi);
3、保護(hù)功能齊,可靠性好;

4、滿足EN55022 ClassB EMI要求

FT838D的介紹:

、應(yīng)用:充電器、適配器

FT830D(不帶) ft831d(帶線損補(bǔ)償)

FT832DB (帶線損及轉(zhuǎn)燈功能)

FT838D   (外置)

FT838NB (內(nèi)置)

FT830系列

二、應(yīng)用:LED

FT830A/D 外置1-18w 封裝:sot23-5 精度:10% 效率:85%以上

FT838R 外置---和830a類(lèi)似 封裝:sot23-5 方案還沒(méi)出來(lái) 10w

FT838RNA 內(nèi)置(三極管)—6w以下 封裝:sop-8 精度:5%

應(yīng)用于: (1-3w, 3-6w)led驅(qū)動(dòng)電源   3w bom  精度比830高,

FT838D 是FT831D的升版,,改善噪音,提高精度,待機(jī)功率100mw

FT825 高pf+psr 過(guò)ce 隔離 60w以?xún)?nèi) 工作效率88%以上,pf值:0.95

應(yīng)用于:18w (燈管 t8/t5 天花燈)

應(yīng)用于:7-9 12w (球泡)   


FT838D的型號(hào)特點(diǎn):

特點(diǎn):

? 節(jié)能模式:脈沖頻率調(diào)制控制模式(PFM) 

? 內(nèi)置抖頻功能來(lái)改善 EMI性能 

? 每個(gè)開(kāi)關(guān)周期的電流限制 

? VCC過(guò)壓保護(hù)(OVP) 

? 欠壓鎖定(UVLO) 

? 輸出短路保護(hù) 

? 內(nèi)置輸出線損補(bǔ)償 

? 輸入線電壓補(bǔ)償以提高輸出電流精度


FT838D的芯片版本與管腳定義:

芯片版本

線損補(bǔ)償比例

FT838D0

0%

FT838D1

3%

FT838D2

6%

FT838D3

9%


FT838D內(nèi)置輸出線損補(bǔ)償,用戶可根據(jù)實(shí)際輸出導(dǎo)線情況選擇合適的芯片版本。

FT838NB是適用于5V1A的充電器設(shè)計(jì)方案,適用于5W的充電器方案,電壓輸入范圍適用于世界各地,精簡(jiǎn)的尺寸為更小巧的設(shè)計(jì)打下了基礎(chǔ),且為過(guò)五能效以及滿足能源之星2.0,其空載電壓也是小于100mA,紋波也是控制在100mVp之下,保護(hù)功能齊,可靠性好,為充電器的穩(wěn)定性提供了保障,延長(zhǎng)了充電器的使用壽命。

1) 交流輸入電壓范圍 90-264Vac 50/60Hz

2) 直流輸出 5V/1.0A

3) 滿足能源之星2.0和5能效的要求并有足夠的余量(板端數(shù)據(jù))

(實(shí)測(cè)平均效率在PCB 板端73.5%以上,能源之星2.0 標(biāo)準(zhǔn)是68.17%)

4) 滿足空載功耗小于100mW (實(shí)測(cè)70mW@230Vac)

5) 滿足EMI EN55022 Class B的要求,并有足夠的余量

6) zui大的輸出紋波小于100mVP-P

7) 系統(tǒng)批量生產(chǎn)保證輸出電壓精度在±5%以?xún)?nèi),輸出電流精度在±5% 以?xún)?nèi)

8) 自恢復(fù)的短路保護(hù)和環(huán)路開(kāi)路保護(hù)

FMD現(xiàn)推出了FT838MBD、FT839NB、FT839MB三種充電器方案

FT838MBD

1、率 ≥78.7% @115V/230V;
2、低待機(jī)功耗 <120mW;
3、輸出紋波噪音低 <80mV;
4、內(nèi)置MOS,DIP8封裝,IC溫升低,外圍元件少,成本低;
5、在五能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的效率余量;

FT839NB

1、率,可滿足六能效標(biāo)準(zhǔn);
2、低待機(jī)功耗<80mW@264Vac;
3、輸出CV/CC精度 <±5%;
4、內(nèi)置NPN,外圍元件少,系統(tǒng)成本低;
5、保護(hù)功能齊,可靠性好;
6、滿足EN55022 ClassB EMI要求;

FT839MB

1、率,可滿足六能效標(biāo)準(zhǔn);
2、低待機(jī)功耗<80mW@264Vac;
3、輸出CV/CC精度 <±5%;
4、內(nèi)置MOS,SOP-8,外圍元件少,系統(tǒng)成本低;
5、保護(hù)功能齊,可靠性好;
6、滿足EN55022 ClassB EMI要求;

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